国家/地区 中国（49） 韩国（24） 美国（23） 世界知识产权组织（16） 日本（12） 欧洲专利局（EPO）（6） 台湾（3）
IPC部 H（76） C（30） B（13）
G（5）
IPC大类 H01（76） C01（28） B82（6）
C23（6） B32（5） B05（3）
C08（3） C09（3） G06（3）
B01（2） B29（2） C22（2）
G02（2） H05（2）
IPC小类 H01B（76） C01B（28） H01L（17）
B32B（5） B82Y（5） C23C（5）
H01M（4） B05D（3） C08K（3）
C08L（3） G06F（3） H01G（3）
B01J（2） B29C（2） C09D（2）
IPC H01B013/00（76）
发明人 LIU Z（5） LI Z（4） CHEN J（3）
FENG X（3） LI M（3） LI Y（3）
WANG P（3） WANG Y（3） ZHOU M（3）
CHEN H（2） CHEN W（2） CHEN Y（2）
FAN T（2） HOU C（2） HU X（2）
公开年 2014（76）
申请年 2013（39）  2014（27）  2012（10） 
专利权人 MEITE TECHNO.（4） OCEANS KING .（3） SHENZHEN OCE.（3） FUJI ELECTRI.（2）
JANG B Z（2） LEE J（2） LIN Y（2） NANJING XINY.（2）
NAT CENT NAN.（2） POSTECH ACAD.（2） SAMSUNG ELEC.（2） SHENZHEN CHI.（2）
SHENZHEN OCE.（2） UNIST ACADIN.（2） UV TECH MATE.（2） YANCHENG ZEN.（2）
ZHAMU A（2）

Preparation of high nitrogen-doped graphene and ultrathin diselanylidenemolybdenum nanosheet composite material used for, e.g. battery electrode by reacting ethylene glycol molybdenum source, selenium source and low nitrogen-doped graphene.

BI E, CHEN H, HAN L

Structure, useful for forming graphene layer useful in e.g. high-speed semiconductor, comprises highly oriented pyrolytic graphite with an exposed surface, metal layer, coating layer, and support attached to surface of metal layer.

LEE Y S, KIM J H

Manufacture of graphene as base material for electronic circuits, carbon-based electronic device and electromagnetic device, involves forming metal layer on thermal expansion compensation substrate, and forming graphene on metal layer.

CHOI M, KIM T, MOON J, JUNG M, KIM T H

Large-sized graphene-metal fine particle composite film for use in electrode for battery e.g. lithium battery, has compact graphene-layered structure comprising hemispherical metal nanoparticles having preset particle diameter.

FANG S, CHENG Y, GUO D, DUAN X, TIAN J, LIU R

Graphene metalized optical fiber cable production method, involves fixing quartz fiber core layer with metal plating layer that is matched with graphene film layer, and connecting insulation protection layer with quartz fiber core layer.

HAN J, OTHER I A N T, WANG Z

Low-silver content composite electroconductive silver paste for forming electroconductive film, comprises graphene microchips, silver-plated glass powder, polymer resin, organic solvent, leveling agent and defoaming agent.

LI Z, WU K, XIAO S S

Manufacture of electroconductive film used for optoelectronic device, involves forming graphene oxide on surface of flexible substrate, performing ultraviolet irradiation treatment and reducing graphene oxide.

YU Z, CHEN H

Electroconductive graphene film for organic electroluminescent device, has glass substrate and functional layer including aluminum-doped zinc oxide layer having preset thickness, provided between graphene layers with preset thickness.

CHEN J, FENG X, WANG P, ZHOU M

Flexible electric conduction graphene thin film for use in organic electroluminescent device, has flexible substrate layer formed with aluminum-doped zinc oxide layer, where thickness of aluminum-doped zinc oxide layer is in specific value.

CHEN J, FENG X, WANG P, ZHOU M

Graphene electrode-molecule thin film composite structure used for flexible electronic device, has graphene electrodes and self-assembled monolayer formed between electrodes by chemical and physical bonding.

LEE H, SEO S H, SEO S